SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系
徐士杰; 刘剑; 李国华; 郑厚植; 江德生
1994
Source Publication红外与毫米波学报
Volume13Issue:1Pages:77
Abstract报道了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱pin结构在不同温度下的光荧光谱,观察到宽阱与窄阱重空穴激子峰荧光强度随温度上升而较快下降的不同变化关系,结果表明窄阱电子的热发射是导致窄阱光荧光强度随温度上升而较快下降的主要原因。同时观测到宽阱轻 空穴激子峰强度特殊的温度依赖关系,并分析了其物理机制。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:239721
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19935
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
徐士杰,刘剑,李国华,等. GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系[J]. 红外与毫米波学报,1994,13(1):77.
APA 徐士杰,刘剑,李国华,郑厚植,&江德生.(1994).GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系.红外与毫米波学报,13(1),77.
MLA 徐士杰,et al."GaAs/AlGaAs非对称耦合双阱光荧光的温度依赖关系".红外与毫米波学报 13.1(1994):77.
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