SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究
姜志雄; 查良镇; 陈新; 陈春华; 王佑祥
1994
Source Publication清华大学学报. 自然科学版
Volume34Issue:4Pages:32
AbstractGaAs中Si的定量分析是典型的SIMS分析课题,有明确的应用背景。对影响SIMS定量分析的一些基本因素进行了实验研究,用O_2~+源和Cs~+源对均匀掺硅和离子注入硅GaAs样品进行了定量分析,考察了实验的稳定性。
metadata_83清华大学电子工程系;中科院;中国科学院半导体研究所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:244791
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19921
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
姜志雄,查良镇,陈新,等. 用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究[J]. 清华大学学报. 自然科学版,1994,34(4):32.
APA 姜志雄,查良镇,陈新,陈春华,&王佑祥.(1994).用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究.清华大学学报. 自然科学版,34(4),32.
MLA 姜志雄,et al."用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究".清华大学学报. 自然科学版 34.4(1994):32.
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