SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
硅直接键合界面附近的深能级研究
卢励吾; 周洁; 封松林; 钱照明; 彭青
1994
Source Publication物理学报
Volume43Issue:5Pages:785
Abstract利用扩展电阻探针(SRP)和深能级瞬态谱(DLTS)技术详细研究了直接键合的n-si/n~+-si界面附近的深能级.实验结果表明,在直接键合的n-Si/n~+-si一侧附近可观察到一个明显的电子陷阱E1(E_c-0.39eV),E1可能是由若干个能级位置相近的陷阱迭加而成的,其浓度在10~(13)-10~(14)cm~(-3)之间.它可能是与制备键合材料的高温(1000-1100℃)处理过中程产生的空位和热应力有关。
metadata_83中科院半导体所;浙江大学电力电子技术所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,省市基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:249857
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19913
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
卢励吾,周洁,封松林,等. 硅直接键合界面附近的深能级研究[J]. 物理学报,1994,43(5):785.
APA 卢励吾,周洁,封松林,钱照明,&彭青.(1994).硅直接键合界面附近的深能级研究.物理学报,43(5),785.
MLA 卢励吾,et al."硅直接键合界面附近的深能级研究".物理学报 43.5(1994):785.
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