SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究
刘伟; 江德生; 张耀辉; 金珊; 王若桢
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:2Pages:139
Abstract利用变温光反射谱和室温光伏谱研究了赝高电子迁移率晶体管结构中二维电子气的行为,发现二维电子气的屏蔽作用对低指数子带较为显著,而对较高子带则弱得多,同时带填充效应在不同温度下对临界点跃迁强度也有不同影响。
metadata_83中科院半导体所;北京师范大学物理学系
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:261937
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19889
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘伟,江德生,张耀辉,等. 赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究[J]. 半导体学报,1995,16(2):139.
APA 刘伟,江德生,张耀辉,金珊,&王若桢.(1995).赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究.半导体学报,16(2),139.
MLA 刘伟,et al."赝高电子迁移率晶体管结构的光反射谱研究".半导体学报 16.2(1995):139.
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