在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化
	罗克俭; 郑厚植; 李承芳; 徐士杰; 张鹏华; 张伟; 杨小平
	1995
Source Publication	半导体学报
Volume	16 Issue:9 Pages:711
Abstract	采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化。在77K低温下,从稳态光荧光谱(PL谱)上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家攀登计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:261945
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19887
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	罗克俭,郑厚植,李承芳,等. 在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化[J]. 半导体学报,1995,16(9):711.
APA	罗克俭.,郑厚植.,李承芳.,徐士杰.,张鹏华.,...&杨小平.(1995).在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化.半导体学报,16(9),711.
MLA	罗克俭,et al."在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化".半导体学报 16.9(1995):711.

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