SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化
罗克俭; 郑厚植; 李承芳; 徐士杰; 张鹏华; 张伟; 杨小平
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:9Pages:711
Abstract采用特殊设计的阶梯型量子阱结构研究了在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化。在77K低温下,从稳态光荧光谱(PL谱)上直接观察到了这种转化所导致的光谱激子峰的蓝移。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:261945
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19887
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
罗克俭,郑厚植,李承芳,等. 在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化[J]. 半导体学报,1995,16(9):711.
APA 罗克俭.,郑厚植.,李承芳.,徐士杰.,张鹏华.,...&杨小平.(1995).在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化.半导体学报,16(9),711.
MLA 罗克俭,et al."在纵向电场作用下量子阱中空间直接/间接激子的转化".半导体学报 16.9(1995):711.
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