在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究
	蒋四南; 林兰英
	1995
Source Publication	半导体学报
Volume	16 Issue:3 Pages:167
Abstract	对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:261946
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19885
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	蒋四南,林兰英. 在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究[J]. 半导体学报,1995,16(3):167.
APA	蒋四南,&林兰英.(1995).在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究.半导体学报,16(3),167.
MLA	蒋四南,et al."在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究".半导体学报 16.3(1995):167.

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