SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究
蒋四南; 林兰英
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:3Pages:167
Abstract对空间生长GaAs:Si单晶,沿着生长方向用X射线形貌和双晶衍射方法进行了研究,X射线形貌观测到了在空间生长区域有一个扇形高完整区。双晶衍射表明,在这个扇形区回摆曲线最窄、强度较高。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:261946
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19885
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
蒋四南,林兰英. 在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究[J]. 半导体学报,1995,16(3):167.
APA 蒋四南,&林兰英.(1995).在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究.半导体学报,16(3),167.
MLA 蒋四南,et al."在微重力下生长的GaAs:Si单晶结构缺陷的X射线研究".半导体学报 16.3(1995):167.
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