像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响
	张向东; 李有成; 孔小均; 魏成文
	1995
Source Publication	半导体学报
Volume	16 Issue:8 Pages:561
Abstract	在考虑像势影响的情况下,利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能,给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线.结果表明:考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Stark效应的影响是很必要的,而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Stark效应的影响是相反的.
metadata_83	中科院半导体所;河北师范大学物理系
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:261962
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19877
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张向东,李有成,孔小均,等. 像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响[J]. 半导体学报,1995,16(8):561.
APA	张向东,李有成,孔小均,&魏成文.(1995).像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响.半导体学报,16(8),561.
MLA	张向东,et al."像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响".半导体学报 16.8(1995):561.

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