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像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响 | |
张向东; 李有成; 孔小均; 魏成文 | |
1995 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 16Issue:8Pages:561 |
Abstract | 在考虑像势影响的情况下,利用变分方法计算了垂直电场下量子阱中类氢杂质的结合能,给出了像势引起的结合能增量随阱宽、杂质位置和电场的变化曲线.结果表明:考虑像势对量子阱中类氢杂质结合能及其Stark效应的影响是很必要的,而且自像势和互像势对类氢杂质结合能Stark效应的影响是相反的. |
metadata_83 | 中科院半导体所;河北师范大学物理系 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:261962 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19877 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张向东,李有成,孔小均,等. 像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响[J]. 半导体学报,1995,16(8):561. |
APA | 张向东,李有成,孔小均,&魏成文.(1995).像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响.半导体学报,16(8),561. |
MLA | 张向东,et al."像势对量子阱中类氢杂质Stark效应的影响".半导体学报 16.8(1995):561. |
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