SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP(100)表面氮化反应的影响
季航; 赵特秀; 王晓平; 吴建新; 徐彭寿; 陆尔东; 许振嘉
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:5Pages:395
Abstract利用同步辐射光电子能谱研究了室温下Na吸附下于P型InP(100)表面对其氮化反应的影响,通过P2p、In 4d芯能级谱的变化,对Na/InP(100)表面的氮化反应的研究表明,碱金属Na的吸附对InP(100)无明显的催化氮化作用,即使采用N_2/Na/N_2/Na/N_2/Na/InP(100)的类多层结构,在室温下也只有极少量的氮化物形成,而无明显的催化氮化反应发生.碱金属吸附层对III-V族半导体氮化反应的催化机制不同于碱金属对于元素半导体的催化反应机制,碱金属对元素半导体的催化氮化反应,吸附的碱金属与元素半导体衬底之间无需界面反应发生,而碱金属吸附层和III-V族半导体衬底之间发生界面反应而形成的表面缺陷在III-V族半导体的催化氮化反应过程中具有重要的作用.
metadata_83中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学结构成分分析中心;中国科学技术大学;中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:261968
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19875
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
季航,赵特秀,王晓平,等. 同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP(100)表面氮化反应的影响[J]. 半导体学报,1995,16(5):395.
APA 季航.,赵特秀.,王晓平.,吴建新.,徐彭寿.,...&许振嘉.(1995).同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP(100)表面氮化反应的影响.半导体学报,16(5),395.
MLA 季航,et al."同步辐射光电子能谱研究室温下Na对InP(100)表面氮化反应的影响".半导体学报 16.5(1995):395.
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