SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
纳米硅薄膜的电致发光和光致发光
余明斌; 李雪梅; 何宇亮; 徐士杰; 刘剑; 罗晋生; 魏希文; 郑厚植; 戌霭伦
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:12Pages:913
Abstract对用PECVD方法控制生长条件制备的纳米硅薄膜材料的发光性质进行了初步研究。在膜的纵向加直流偏压,暗场环境下的可清楚地看到材料的电致发光现象。在同一测量系统中分别测量了纳米硅材料的电致发光光谱和光致发光光谱,并用Lambda 9紫外/可见/近红外分光光度计测量了样品的透射谱,从而得到样品的Tauc曲线和光能隙E_g~(opt)。
metadata_83西安交通大学电子工程系;大连理工大学物理系;北京航空航天大学非晶态物理研究室;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金,国家重点、开放实验室基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:261988
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19867
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
余明斌,李雪梅,何宇亮,等. 纳米硅薄膜的电致发光和光致发光[J]. 半导体学报,1995,16(12):913.
APA 余明斌.,李雪梅.,何宇亮.,徐士杰.,刘剑.,...&戌霭伦.(1995).纳米硅薄膜的电致发光和光致发光.半导体学报,16(12),913.
MLA 余明斌,et al."纳米硅薄膜的电致发光和光致发光".半导体学报 16.12(1995):913.
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