SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
碱金属Rb在InP(100)表面的催化氧化作用
徐彭寿; 徐世红; 朱警生; 刘先明; 麻茂生; 张裕恒; 许振嘉
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:4Pages:296
Abstract用XPS和UPS研究了氧在Rb复盖的和清洁的InP(100)表面的吸附行为。实验结果表明,碱金属可以使衬底的氧化能力大大增加。在氧的暴露量低于1L时,氧主要吸附在碱金属原子之间的InP衬底上,且位于Rb原子层之下。当氧暴露量增加时,氧主要还是吸附在Rb覆盖层下面,这时衬底开始氧化。在清洁表面,氧主要吸附在In原子上,样品退火后,Rb部分脱附,同时,衬底的氧化物相(InPO_4)含量增加。
metadata_83中国科学技术大学;中科院半导体所
Subject Area半导体化学
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:261996
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19863
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
徐彭寿,徐世红,朱警生,等. 碱金属Rb在InP(100)表面的催化氧化作用[J]. 半导体学报,1995,16(4):296.
APA 徐彭寿.,徐世红.,朱警生.,刘先明.,麻茂生.,...&许振嘉.(1995).碱金属Rb在InP(100)表面的催化氧化作用.半导体学报,16(4),296.
MLA 徐彭寿,et al."碱金属Rb在InP(100)表面的催化氧化作用".半导体学报 16.4(1995):296.
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