SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用
杨国文; 肖建伟; 徐遵图; 郑婉华; 曾一平; 徐俊英; 张敬明; 陈良惠
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:8Pages:627
Abstract通过对分子束外延(MBE)中影响GaAs、AlGaAs材料生长的一些关键因素的分析、实验与研究,得到了具有很好晶格完整性和高质量电学、光学特性的GaAs、AlGaAs单晶材料,实现了75mm大面积范围内的厚度、组分和掺杂等的很好均匀性.研制了高质量的GaAs/AlGaAs量子阱超晶格材料,并应用于量子阱激光器材料的研制,获得了具有极低阈值电流密底、低内损耗、高量子效率的高质量量子阱激光器外延材料.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:262009
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:2[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19857
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨国文,肖建伟,徐遵图,等. 高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用[J]. 半导体学报,1995,16(8):627.
APA 杨国文.,肖建伟.,徐遵图.,郑婉华.,曾一平.,...&陈良惠.(1995).高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用.半导体学报,16(8),627.
MLA 杨国文,et al."高质量GaAs-AlGaAs材料MBE生长研究及其应用".半导体学报 16.8(1995):627.
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