SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高精度双晶衍射(HRDCD)方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数
王小军; 庄岩; 王玉田; 庄婉如; 王启明; 黄美纯
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:3Pages:170
Abstract应变超薄层结构的组分、厚度应变状态的直接检测,对于器件应用具有重要的意义,该文中,利用MOCVD方法得到高质量的InGaAs/GaAs量子阱材料,采用双晶衍射方法的弱信号收集技术,结合运动学理论模拟,得出同时包含几个不同阱宽的InGaAs/GaAs量子阱结构的重要参数,其检测结果与光致发光(PL)、透射电子显微镜(TEM)等方法的测试结果基本一致,表明X射线双晶衍射方法是检测超薄层应变量子阱结构的一个有效方法。
metadata_83厦门大学物理系;国家光电子工艺中心;中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:262012
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19853
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
王小军,庄岩,王玉田,等. 高精度双晶衍射(HRDCD)方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数[J]. 半导体学报,1995,16(3):170.
APA 王小军,庄岩,王玉田,庄婉如,王启明,&黄美纯.(1995).高精度双晶衍射(HRDCD)方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数.半导体学报,16(3),170.
MLA 王小军,et al."高精度双晶衍射(HRDCD)方法检测InGaAs/GaAs超薄应变层量子阱结构参数".半导体学报 16.3(1995):170.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
6026.pdf(172KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[王小军]'s Articles
[庄岩]'s Articles
[王玉田]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[王小军]'s Articles
[庄岩]'s Articles
[王玉田]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[王小军]'s Articles
[庄岩]'s Articles
[王玉田]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.