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| 高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究 | |
杨斌; 王占国; 陈涌海; 梁基本; 廖奇为; 林兰英; 朱战萍; 徐波 ; 李伟
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| 1995 | |
| Source Publication | 半导体学报
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| Volume | 16Issue:9Pages:706 |
| Abstract | 采用三角阱近似,考虑了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,该文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。 |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体材料 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 英语 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics | |
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19851 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 杨斌,王占国,陈涌海,等. 高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究[J]. 半导体学报,1995,16(9):706. |
| APA | 杨斌.,王占国.,陈涌海.,梁基本.,廖奇为.,...&李伟.(1995).高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究.半导体学报,16(9),706. |
| MLA | 杨斌,et al."高电子迁移率GaAs/AlxGa（1-x）As二维电子气（2DEG）异质结结构参数优化研究".半导体学报 16.9(1995):706. |
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