SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
高电子迁移率GaAs/AlxGa(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结结构参数优化研究
杨斌; 王占国; 陈涌海; 梁基本; 廖奇为; 林兰英; 朱战萍; 徐波; 李伟
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:9Pages:706
Abstract采用三角阱近似,考虑了GaAs/Al_xGa_(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结中七种主要的散射机制,计算了2DEG电子迁移率与隔离层厚度(d)和Al组分(x)的关系,对GaAs/Al_xGa_(1-x)As异质结的结构参数进行了优化分析。就作者所知,该文首次计算了2DEG电子迁移率与Al组分x的关系,得到了与实验规律一致的结果。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language英语
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19851
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
杨斌,王占国,陈涌海,等. 高电子迁移率GaAs/AlxGa(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结结构参数优化研究[J]. 半导体学报,1995,16(9):706.
APA 杨斌.,王占国.,陈涌海.,梁基本.,廖奇为.,...&李伟.(1995).高电子迁移率GaAs/AlxGa(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结结构参数优化研究.半导体学报,16(9),706.
MLA 杨斌,et al."高电子迁移率GaAs/AlxGa(1-x)As二维电子气(2DEG)异质结结构参数优化研究".半导体学报 16.9(1995):706.
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