SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非对称双势垒结构中电子态的特异性
宋爱民; 郑厚植
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:7Pages:552
Abstract在包络波函数近似下自洽计算了非对称双热垒结构(DBS)中的电子态,并正确得到了积累区和中央势阱中准束缚能级E_(ac)、E_(we)随偏压变化的反交叉过程.结果首次揭示了结果适当选取DBS的入射垒厚度,随着外加电场不断增加,在过共振区积累层势阱和中央势阱会统一成一个大三解势阱的基态能级E_(com),E_(com)具有很好的二维性,这表明在过共振区DBS在入射端积累区中只存在二维电子.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:262023
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19847
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
宋爱民,郑厚植. 非对称双势垒结构中电子态的特异性[J]. 半导体学报,1995,16(7):552.
APA 宋爱民,&郑厚植.(1995).非对称双势垒结构中电子态的特异性.半导体学报,16(7),552.
MLA 宋爱民,et al."非对称双势垒结构中电子态的特异性".半导体学报 16.7(1995):552.
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