SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验
莫党; 谭健华; 陈宗圭; 杨小平; 张鹏华; 张伟; 陈良尧
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:10Pages:730
Abstract制备了M=2,4,6和10的一系列短周期(GaAs)_M/(AlAs)_M超晶格样品并测量了其椭偏光谱。对这些样品的光频介电函数谱进行了分析,并与夏建白等的理论计算结果作了直接比较。上述理论计算是对M=4,6和10的超晶格样品作出的,并给出相应的介电函数谱曲线。在光子能量3.5~4.5eV范围的E_1峰与E_1峰附近的实验谱的主要特征,与理论计算结果相一致。实验谱中的E_1峰比理论谱要强些,不同M值的超晶格样品之间的E_1峰之差异也大于理论结果。
metadata_83中山大学物理系;中科院半导体所;复旦大学物理系
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:262034
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19845
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
莫党,谭健华,陈宗圭,等. 短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验[J]. 半导体学报,1995,16(10):730.
APA 莫党.,谭健华.,陈宗圭.,杨小平.,张鹏华.,...&陈良尧.(1995).短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验.半导体学报,16(10),730.
MLA 莫党,et al."短周期GaAS/AlAs超晶格的光频介电函数谱理论的实验检验".半导体学报 16.10(1995):730.
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