SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg(1-x)CdxTe体系
陆大成; 段树坤
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:6Pages:413
Abstract对MOCVD生长Hg_(1-x)Cd_xTe进行了热力学分析.所用的起始原材料为Hg、DM-Cd和R_2Te.计算结果一方面表明CdTe优先并入倾向使得在通常的DAG工艺中x值非常不易控制.另一方表明即使在Hg存在的情况下,也可以沉积几平纯的CdTe,这对实现IMP工艺非常有利,计算结果还表明II/VI比对HgCdTe的组分控制起着关键性的作用.在DAG工艺中,较低的II/VI比可以改善对x值的控制能力,LMP-DAG工艺是降低II/VI比的较好途径.还计算了生长温度和反应室压力对固相组分的影响以及LMP-DAG工艺中生长温度与HgCdTe组分对最低汞分压的影响.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19831
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
陆大成,段树坤. MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg(1-x)CdxTe体系[J]. 半导体学报,1995,16(6):413.
APA 陆大成,&段树坤.(1995).MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg(1-x)CdxTe体系.半导体学报,16(6),413.
MLA 陆大成,et al."MOCVD生长的II-VI族化合物固溶体组分的热力学分析.2.Hg(1-x)CdxTe体系".半导体学报 16.6(1995):413.
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