InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学
	徐仲英; 罗昌平; 金世荣; 许继宗; 郑宝真
	1995
Source Publication	半导体学报
Volume	16 Issue:2 Pages:101
Abstract	测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性,研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系。发现In组分增大时,激子寿命变短,而发光寿命与阱宽的关系不大。文章分析了影响发光寿命的诸多因素,指出在InGaAs/GaAs量子阱中,由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响。
metadata_83	中科院半导体所;西安交通大学电子科学系
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:262079
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:1[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19823
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	徐仲英,罗昌平,金世荣,等. InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学[J]. 半导体学报,1995,16(2):101.
APA	徐仲英,罗昌平,金世荣,许继宗,&郑宝真.(1995).InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学.半导体学报,16(2),101.
MLA	徐仲英,et al."InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学".半导体学报 16.2(1995):101.

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