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InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学 | |
徐仲英; 罗昌平; 金世荣; 许继宗; 郑宝真 | |
1995 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 16Issue:2Pages:101 |
Abstract | 测量并分析了InGaAs/GaAs应变量子阱中的激子发光衰退特性,研究了激子发光寿命与In组分和阱宽的关系。发现In组分增大时,激子寿命变短,而发光寿命与阱宽的关系不大。文章分析了影响发光寿命的诸多因素,指出在InGaAs/GaAs量子阱中,由合金无序造成的散射对激子发光寿命有重要的影响。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;西安交通大学电子科学系 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:262079 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19823 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 徐仲英,罗昌平,金世荣,等. InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学[J]. 半导体学报,1995,16(2):101. |
APA | 徐仲英,罗昌平,金世荣,许继宗,&郑宝真.(1995).InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学.半导体学报,16(2),101. |
MLA | 徐仲英,et al."InGaAs/GaAs应变量子阱中的激光发光动力学".半导体学报 16.2(1995):101. |
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