InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究
	孙殿照; 王晓亮; 李晓兵; 国红熙; 阎春辉; 李建平; 朱世荣; 李灵霄; 曾一平; 孙梅影; 侯洵
	1995
Source Publication	半导体学报
Volume	16 Issue:10 Pages:725
Abstract	在国产第一台CEB(Chemical beam epitaxy)设备上,用GSMBE(Gas source molecular beam epitaxy)技术在国内首次研究了InGaAs/InP匹配和应变多量子阱超晶格材料的生长,用不对称切换方法成功地生长了高质量的匹配和正负应变超晶格材料,并用双晶X-射线衍射技术对样品进行了测试和分析。结果表明,我们在国产地一台CBE设备上用GSMBE技术采用非对称切换方法生长的超晶格材料质量很好。
metadata_83	中科院半导体所;中科院西安光学精密机械所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:262080
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19821
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	孙殿照,王晓亮,李晓兵,等. InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究[J]. 半导体学报,1995,16(10):725.
APA	孙殿照.,王晓亮.,李晓兵.,国红熙.,阎春辉.,...&侯洵.(1995).InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究.半导体学报,16(10),725.
MLA	孙殿照,et al."InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究".半导体学报 16.10(1995):725.

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