SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心
马红; 杨锡震; 周洁; 卢励吾; 封松林
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:8Pages:574
Abstract采用结谱、光荧光等技术对Pd和Zt在GaAs中的光学和电学性质进行了研究.在GaAs:Pd中观测到三个能级,分别位于导带下0.4eV、0.60eV和价带上0.69eV.在GaAs:Zr中也观测到三个能级,分别位于导带下0.43eV和介带上0.32eV和0.55eV.基于深中心所表现出的Poole-Frenkel效应,讨论了一些中心对应的荷电态,对它们的俘获和对光致发光的影响也作了研究,结果表明:Pd和Zr在GaAs中均不是有效的复合中心.
metadata_83北京师范大学物理学系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:262087
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19817
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马红,杨锡震,周洁,等. GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心[J]. 半导体学报,1995,16(8):574.
APA 马红,杨锡震,周洁,卢励吾,&封松林.(1995).GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心.半导体学报,16(8),574.
MLA 马红,et al."GaAs中过渡族杂质Pd和Zr有关的深中心".半导体学报 16.8(1995):574.
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