SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定
陈春华; 陈新; 王佑祥; 姜志雄
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:10Pages:747
Abstract介绍了用离子注入标样测定GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的方法,并将实验数据进行离子计数-浓度,溅射时间-深度转换后求得的特征值(C_(max)、R_p、ΔR_p)等与理论计算值进行比较,二者符合较好,其中C_(max)的SIMS测量值同LSS理论计算值和Monte Carlo模拟计算值之间的平均偏差分别为9%和27%。最后,对几种GaAs基的材料和器件进行氧的定量分析,获得了有益的结果。
metadata_83中科院半导体所;清华大学电子工程系
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:262088
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19815
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
Recommended Citation
GB/T 7714
陈春华,陈新,王佑祥,等. GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定[J]. 半导体学报,1995,16(10):747.
APA 陈春华,陈新,王佑祥,&姜志雄.(1995).GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定.半导体学报,16(10),747.
MLA 陈春华,et al."GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定".半导体学报 16.10(1995):747.
Files in This Item:
File Name/Size DocType Version Access License
6007.pdf(432KB) 限制开放--Application Full Text
Related Services
Recommend this item
Bookmark
Usage statistics
Export to Endnote
Google Scholar
Similar articles in Google Scholar
[陈春华]'s Articles
[陈新]'s Articles
[王佑祥]'s Articles
Baidu academic
Similar articles in Baidu academic
[陈春华]'s Articles
[陈新]'s Articles
[王佑祥]'s Articles
Bing Scholar
Similar articles in Bing Scholar
[陈春华]'s Articles
[陈新]'s Articles
[王佑祥]'s Articles
Terms of Use
No data!
Social Bookmark/Share
All comments (0)
No comment.
 

Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.