Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定 | |
陈春华; 陈新; 王佑祥; 姜志雄 | |
1995 | |
Source Publication | 半导体学报
![]() |
Volume | 16Issue:10Pages:747 |
Abstract | 介绍了用离子注入标样测定GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的方法,并将实验数据进行离子计数-浓度,溅射时间-深度转换后求得的特征值(C_(max)、R_p、ΔR_p)等与理论计算值进行比较,二者符合较好,其中C_(max)的SIMS测量值同LSS理论计算值和Monte Carlo模拟计算值之间的平均偏差分别为9%和27%。最后,对几种GaAs基的材料和器件进行氧的定量分析,获得了有益的结果。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;清华大学电子工程系 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:262088 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19815 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陈春华,陈新,王佑祥,等. GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定[J]. 半导体学报,1995,16(10):747. |
APA | 陈春华,陈新,王佑祥,&姜志雄.(1995).GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定.半导体学报,16(10),747. |
MLA | 陈春华,et al."GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定".半导体学报 16.10(1995):747. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
6007.pdf(432KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment