GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定
	陈春华; 陈新; 王佑祥; 姜志雄
	1995
Source Publication	半导体学报
Volume	16 Issue:10 Pages:747
Abstract	介绍了用离子注入标样测定GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的方法,并将实验数据进行离子计数-浓度,溅射时间-深度转换后求得的特征值(C_(max)、R_p、ΔR_p)等与理论计算值进行比较,二者符合较好,其中C_(max)的SIMS测量值同LSS理论计算值和Monte Carlo模拟计算值之间的平均偏差分别为9％和27％。最后,对几种GaAs基的材料和器件进行氧的定量分析,获得了有益的结果。
metadata_83	中科院半导体所;清华大学电子工程系
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:262088
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19815
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈春华,陈新,王佑祥,等. GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定[J]. 半导体学报,1995,16(10):747.
APA	陈春华,陈新,王佑祥,&姜志雄.(1995).GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定.半导体学报,16(10),747.
MLA	陈春华,et al."GaAs中氧的SIMS相对灵敏度因子的测定".半导体学报 16.10(1995):747.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库