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GaN的MOCVD生长 | |
陆大成; 汪度; 王晓晖; 董建荣; 刘祥林; 高维滨; 李成基; 李蕴言 | |
1995 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 16Issue:11Pages:831 |
Abstract | GaN是重要的蓝光半导体材料。以TMGa和BH_3为源在(0112)α-Al_2O_3衬底上成功的用MOCVD方法生长了GaN外延层,研究了GaN的表面形貌与结晶学、电学和光学特性。GaN(2110)面的双晶回摆曲线衍射峰的最小半高宽已达16'。并观测到GaN所发出的紫外可见光波段的阴极荧光。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:262090 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics |
Cited Times:8[CSCD]
[CSCD Record]
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Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19813 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 陆大成,汪度,王晓晖,等. GaN的MOCVD生长[J]. 半导体学报,1995,16(11):831. |
APA | 陆大成.,汪度.,王晓晖.,董建荣.,刘祥林.,...&李蕴言.(1995).GaN的MOCVD生长.半导体学报,16(11),831. |
MLA | 陆大成,et al."GaN的MOCVD生长".半导体学报 16.11(1995):831. |
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