SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴
张耀辉; 杨小平; 刘伟; 崔丽秋; 江德生
1995
Source Publication半导体学报
Volume16Issue:1Pages:77
Abstract研究了掺杂耦合GaAs/AlAs超晶格的级联隧穿,在这种结构中,AlAs层X能谷中的基态能级位于GaAs层中Г能谷的基态(E_(Г1))和第一激发态(E_(Г_2))能级之间。实验结果证明,这种超晶格中的高电场畴是由Г-X级联共振隧穿所形成的,而不是通常的相邻量子阱子带的级联共振隧穿所形成的。在这种高场畴中,电子从GaAs量子阱的基态隧穿到邻近的AlAs层的X能谷的基态,然后通过实空间电子转移从AlAs层的X能谷弛豫到下一个GaAs量子阱的Г能谷的基态。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:262099
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19803
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
张耀辉,杨小平,刘伟,等. GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴[J]. 半导体学报,1995,16(1):77.
APA 张耀辉,杨小平,刘伟,崔丽秋,&江德生.(1995).GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴.半导体学报,16(1),77.
MLA 张耀辉,et al."GaAs/AlAs超晶格Г-X级联隧穿电致的电场畴".半导体学报 16.1(1995):77.
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