SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
非对称全内反射型SOI波导开关器件模型分析
赵策洲; 李国正; 刘育梁; 刘恩科; 刘西钉
1995
Source Publication红外与毫米波学报
Volume14Issue:6Pages:435
Abstract根据有效折射率法和光束传播法分析了大截面单模SOI脊形X型交叉波导的传输特性.指出交叉角在1.5-2°内,因导波模式引起耦合作用而导致的串音小于-25dB;采用波动光学原理分析了非对称全内反射开关导模的传输和反射特性;讨论了等离子体色散效应,pn结大注入效应以及Goos-Hanchken位移,并分析了非对我全内反射型SOI光波导开关的电学性质.据此优化设计了该器件的结构参数和电学参数.
metadata_83西安电子科技大学微电子所;西安交通大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area光电子学
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:272174
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19769
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
赵策洲,李国正,刘育梁,等. 非对称全内反射型SOI波导开关器件模型分析[J]. 红外与毫米波学报,1995,14(6):435.
APA 赵策洲,李国正,刘育梁,刘恩科,&刘西钉.(1995).非对称全内反射型SOI波导开关器件模型分析.红外与毫米波学报,14(6),435.
MLA 赵策洲,et al."非对称全内反射型SOI波导开关器件模型分析".红外与毫米波学报 14.6(1995):435.
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