SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程
金世荣; 罗晋生; 褚君浩; 徐仲英; 袁之良; 罗昌平; 许继宗; 郑宝真
1995
Source Publication红外与毫米波学报
Volume14Issue:3Pages:237
Abstract利用时间分辨光谱技术,在11~90K温度范围研究了不同阱宽的InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱子带弛豫过程,讨论了这两种量子阱材料中不同散射机制的作用。
metadata_83中科院上海技术物理所;西安交通大学微电子研究室;中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:272192
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19763
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
金世荣,罗晋生,褚君浩,等. InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程[J]. 红外与毫米波学报,1995,14(3):237.
APA 金世荣.,罗晋生.,褚君浩.,徐仲英.,袁之良.,...&郑宝真.(1995).InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程.红外与毫米波学报,14(3),237.
MLA 金世荣,et al."InGaAs/GaAs和InGaAs/AlGaAs应变层量子阱中的子带驰豫过程".红外与毫米波学报 14.3(1995):237.
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