SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化
袁之良; 许继宗; 郑宝真; 徐仲英
1995
Source Publication红外与毫米波学报
Volume14Issue:4Pages:257
Abstract用光荧光(PL)和时间分辨光谱(TRPL)技术研究了GaAs/AlGaAs窄量子阱结构中荧光上升时间τ_f和激子谱线半宽(FWHM)随阱宽的变化关系,发现在窄阱中,τ_f随阱宽的变化关系与宽阱是的情况恰恰相反,在窄阱中τ_f随着阱宽的减小而增加,归结为激子二维特性的退化导致声学声子对激子的散射作用减弱造成的。同时观测到窄阱中谱线半宽随着阱宽减小而增加,这也是因为激子特性由准二维向三维转化造成的。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家攀登计划,国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:272194
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19761
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
袁之良,许继宗,郑宝真,等. GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化[J]. 红外与毫米波学报,1995,14(4):257.
APA 袁之良,许继宗,郑宝真,&徐仲英.(1995).GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化.红外与毫米波学报,14(4),257.
MLA 袁之良,et al."GaAs/AlGaAs窄量子阱中激子二维特性的退化".红外与毫米波学报 14.4(1995):257.
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