SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
HEMT材料的电子辐射效应
林理彬; 李有梅; 陈卫东; 蒋锦江; 孙梅影
1995
Source Publication四川大学学报. 自然科学版
Volume32Issue:1Pages:39
Abstract用能量为1~1.8MeV、注量为10~13~10~17/cm~2的电子, 对HEMT(高电子迁移率晶体管)材料进行辐照, 得到了材料结构中的二维电子气(2DEG)的电输运性质随辐照电子能量和注量的变化关系, 并进行了讨论。还将该结果与电子辐照P-HEMT和LT-HEMT材料的结果进行了比较, 对异质结界面的辐照效应进行了分析。
metadata_83四川大学物理系;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:281030
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:3[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19755
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
林理彬,李有梅,陈卫东,等. HEMT材料的电子辐射效应[J]. 四川大学学报. 自然科学版,1995,32(1):39.
APA 林理彬,李有梅,陈卫东,蒋锦江,&孙梅影.(1995).HEMT材料的电子辐射效应.四川大学学报. 自然科学版,32(1),39.
MLA 林理彬,et al."HEMT材料的电子辐射效应".四川大学学报. 自然科学版 32.1(1995):39.
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