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Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究 | |
钟兴儒; 刘爱民; 林兰英; 常秀兰; 陶琨; 陈顺英 | |
1995 | |
Source Publication | 太阳能学报
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Volume | 16Issue:4Pages:384 |
Abstract | 研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃─450℃下合金处理对欧姆接触的的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×10~(-4)Ωcm~2。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨论了接触电阻率与微结构的关系。 |
metadata_83 | 中科院半导体所;清华大学材料科学所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:281109 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19751 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 钟兴儒,刘爱民,林兰英,等. Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究[J]. 太阳能学报,1995,16(4):384. |
APA | 钟兴儒,刘爱民,林兰英,常秀兰,陶琨,&陈顺英.(1995).Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究.太阳能学报,16(4),384. |
MLA | 钟兴儒,et al."Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究".太阳能学报 16.4(1995):384. |
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