Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究
	钟兴儒; 刘爱民; 林兰英; 常秀兰; 陶琨; 陈顺英
	1995
Source Publication	太阳能学报
Volume	16 Issue:4 Pages:384
Abstract	研究了Ag/AuGeNi/n-GaSb在150℃─450℃下合金处理对欧姆接触的的影响,最佳合金温度为220℃,此时接触电阻率为6.7×10~(-4)Ωcm~2。用AES和XRD研究了金属半导体界面处的扩散及物相变化,并讨论了接触电阻率与微结构的关系。
metadata_83	中科院半导体所;清华大学材料科学所
Subject Area	半导体材料
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:281109
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19751
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	钟兴儒,刘爱民,林兰英,等. Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究[J]. 太阳能学报,1995,16(4):384.
APA	钟兴儒,刘爱民,林兰英,常秀兰,陶琨,&陈顺英.(1995).Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究.太阳能学报,16(4),384.
MLA	钟兴儒,et al."Ag/AuGeNi/n-GaSb欧姆接触的研究".太阳能学报 16.4(1995):384.

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