SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
单电子效应与单电子晶体管
夏建白
1995
Source Publication物理
Volume24Issue:7Pages:391
Abstract由于半导体超微细加工技术的发展,在半径为几百nm的量子点结构上观察到了由单个电子的阻塞和隧穿引起的电流振荡,分别称为库仑阻塞、单电子隧穿和库仑振荡。与此效应有关的现象还有库仑台阶、旋转门效应。旋转门器件可利用作为电流标准测量,单电子晶体管将是下世纪大容量存贮器的最好选择。单电子效应的研究将开辟一门新的“人造原子物理学”。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:282484
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19745
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
夏建白. 单电子效应与单电子晶体管[J]. 物理,1995,24(7):391.
APA 夏建白.(1995).单电子效应与单电子晶体管.物理,24(7),391.
MLA 夏建白."单电子效应与单电子晶体管".物理 24.7(1995):391.
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