SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射
刘剑; 郑厚植; 徐士杰
1995
Source Publication物理
Volume24Issue:9Pages:539
Abstract介绍了低维系统物理与器件研究领域内最近兴起的一个十分引入注目的交叉学科课题:超导体/半导体/超导体双异质结结构中电子在超导体/半导体界面处的相互作用行为,包括超导邻近效应(proximity effect)及Josephson场效应晶体管(JOFET)的探索研究,此外,还讨论了此领域内一个重要物理问题----Andreev反射.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体物理
Funding Organization国家攀登计划
Indexed ByCSCD
Language中文
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19743
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘剑,郑厚植,徐士杰. 超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射[J]. 物理,1995,24(9):539.
APA 刘剑,郑厚植,&徐士杰.(1995).超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射.物理,24(9),539.
MLA 刘剑,et al."超导体/半导体界面处的电子相互作用-JOFET器件和Andreev反射".物理 24.9(1995):539.
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