SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法
庄岩; 王玉田; 潘士宏
1995
Source Publication物理学报
Volume44Issue:7Pages:1073
Abstract运用高精度X射线双晶衍射仪对GeSe/Si应变超晶格进行了分析研究,实验上观测到在卫星峰之间存在着干涉条纹(Pendellosung)。建立了界面的随机概率模型,结合计算机模拟发现: Pendellosung条纹对界面的粗糙十分敏感,当界面粗糙度较小时,只影响Pendellosung条纹的规则排列,而当粗糙度较大时,不仅使Pendellosung条纹强度下降,规则排列受到破坏,并且还将导致高级卫星峰强度下降,峰形严重宽化。
metadata_83中科院半导体所;南开大学物理系
Subject Area半导体物理
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:282777
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:1[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19741
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
庄岩,王玉田,潘士宏. 研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法[J]. 物理学报,1995,44(7):1073.
APA 庄岩,王玉田,&潘士宏.(1995).研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法.物理学报,44(7),1073.
MLA 庄岩,et al."研究半导体超晶格界面粗糙的X射线双晶Pendellosung方法".物理学报 44.7(1995):1073.
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