SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究
季航; 赵特秀; 王晓平; 吴建新; 徐彭寿; 陆尔东; 许振嘉
1995
Source Publication物理学报
Volume44Issue:4Pages:622
metadata_83中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学结构成分分析中心;中国科学技术大学;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家自然科学基金
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:282808
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19739
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
季航,赵特秀,王晓平,等. 室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究[J]. 物理学报,1995,44(4):622.
APA 季航.,赵特秀.,王晓平.,吴建新.,徐彭寿.,...&许振嘉.(1995).室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究.物理学报,44(4),622.
MLA 季航,et al."室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究".物理学报 44.4(1995):622.
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