室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究
	季航; 赵特秀; 王晓平; 吴建新; 徐彭寿; 陆尔东; 许振嘉
	1995
Source Publication	物理学报
Volume	44 Issue:4 Pages:622
metadata_83	中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学结构成分分析中心;中国科学技术大学;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:282808
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19739
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	季航,赵特秀,王晓平,等. 室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究[J]. 物理学报,1995,44(4):622.
APA	季航.,赵特秀.,王晓平.,吴建新.,徐彭寿.,...&许振嘉.(1995).室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究.物理学报,44(4),622.
MLA	季航,et al."室温下InP（100）表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究".物理学报 44.4(1995):622.

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