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室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究 | |
季航; 赵特秀; 王晓平; 吴建新; 徐彭寿; 陆尔东; 许振嘉 | |
1995 | |
Source Publication | 物理学报
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Volume | 44Issue:4Pages:622 |
metadata_83 | 中国科学技术大学物理系;中国科学技术大学结构成分分析中心;中国科学技术大学;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:282808 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19739 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 季航,赵特秀,王晓平,等. 室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究[J]. 物理学报,1995,44(4):622. |
APA | 季航.,赵特秀.,王晓平.,吴建新.,徐彭寿.,...&许振嘉.(1995).室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究.物理学报,44(4),622. |
MLA | 季航,et al."室温下InP(100)表面K诱发催化氮化反应的同步辐射光电子能谱研究".物理学报 44.4(1995):622. |
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