SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用
马骁宇; 王树堂; 熊飞克; 郭良; 王仲明; 曾靖; 王丽明; 陈良惠
1996
Source Publication半导体学报
Volume17Issue:5Pages:396
Abstract报道了用低压有机金属化合物化学气相沉积外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用。用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值7~12 mA的1.3 μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600 A/cm~2(腔长400 μm),DC-PBH结构阈值9~15 mA的1.55 μm量子阱激光器以及高功率1.3 μm量子阱发光二极管和InGaAs PIN光电探测器。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Funding Organization国家863计划
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:297273
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19719
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
马骁宇,王树堂,熊飞克,等. 低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用[J]. 半导体学报,1996,17(5):396.
APA 马骁宇.,王树堂.,熊飞克.,郭良.,王仲明.,...&陈良惠.(1996).低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用.半导体学报,17(5),396.
MLA 马骁宇,et al."低压MOCVD外延生长InGaAsP/InP应变量子阱材料与器件应用".半导体学报 17.5(1996):396.
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