三端1.3μm InGaAsP/Inp双区共腔激光器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	三端1.3μm InGaAsP/Inp双区共腔激光器
	张权生; 石志文; 杜云; 赵军; 颜学进
	1996
Source Publication	高技术通讯
Volume	6 Issue:7 Pages:27
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Funding Organization	国家自然科学基金,国家863计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:298245
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19699
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张权生,石志文,杜云,等. 三端1.3μm InGaAsP/Inp双区共腔激光器[J]. 高技术通讯,1996,6(7):27.
APA	张权生,石志文,杜云,赵军,&颜学进.(1996).三端1.3μm InGaAsP/Inp双区共腔激光器.高技术通讯,6(7),27.
MLA	张权生,et al."三端1.3μm InGaAsP/Inp双区共腔激光器".高技术通讯 6.7(1996):27.

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