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InGaAsP/InP PFBH激光器 | |
张静媛; 王圩![]() | |
1996 | |
Source Publication | 高技术通讯
![]() |
Volume | 6Issue:12Pages:10 |
Abstract | 采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导多次,该文介绍用P-InP衬底研制InFaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器,同时利用晶体生长和晶向的依赖关系,改进埋区的结构,使器件最高激射温度大于100℃。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体器件 |
Funding Organization | 国家863计划,五年计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:298319 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19689 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 张静媛,王圩,汪孝杰,等. InGaAsP/InP PFBH激光器[J]. 高技术通讯,1996,6(12):10. |
APA | 张静媛,王圩,汪孝杰,&田慧良.(1996).InGaAsP/InP PFBH激光器.高技术通讯,6(12),10. |
MLA | 张静媛,et al."InGaAsP/InP PFBH激光器".高技术通讯 6.12(1996):10. |
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