InGaAsP/InP PFBH激光器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAsP/InP PFBH激光器
	张静媛; 王圩; 汪孝杰; 田慧良
	1996
Source Publication	高技术通讯
Volume	6 Issue:12 Pages:10
Abstract	采用N-InP衬底研制InGaAsP/InP激光器和DFB激光器在国内已报导多次，该文介绍用P-InP衬底研制InFaAsP/InP平面埋层异质结构(PFBH)激光器和DFB-PFBH激光器，同时利用晶体生长和晶向的依赖关系，改进埋区的结构，使器件最高激射温度大于100℃。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Funding Organization	国家863计划,五年计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:298319
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19689
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张静媛,王圩,汪孝杰,等. InGaAsP/InP PFBH激光器[J]. 高技术通讯,1996,6(12):10.
APA	张静媛,王圩,汪孝杰,&田慧良.(1996).InGaAsP/InP PFBH激光器.高技术通讯,6(12),10.
MLA	张静媛,et al."InGaAsP/InP PFBH激光器".高技术通讯 6.12(1996):10.

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