四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析
	姜志雄; 查良镇; 王佑祥; 陈春华; 陈新
	1996
Source Publication	半导体学报
Volume	17 Issue:6 Pages:421
Abstract	讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对Al_xGa_(1-x)As中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时Si RSF的变化规律,在IMS-4f SIMS仪器上进行了对比测试,用Cs~+源对~(29)Si的原子检测限达到4×10~(15)cm~(-3).
metadata_83	清华大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19675
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	姜志雄,查良镇,王佑祥,等. 四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析[J]. 半导体学报,1996,17(6):421.
APA	姜志雄,查良镇,王佑祥,陈春华,&陈新.(1996).四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析.半导体学报,17(6),421.
MLA	姜志雄,et al."四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析".半导体学报 17.6(1996):421.

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