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四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析 | |
姜志雄; 查良镇; 王佑祥; 陈春华; 陈新 | |
1996 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 17Issue:6Pages:421 |
Abstract | 讨论了用MIQ-156四极SIMS仪器对Al_xGa_(1-x)As中Si进行定量分析的实验方法,考察了测量结果的重复性及x变化时Si RSF的变化规律,在IMS-4f SIMS仪器上进行了对比测试,用Cs~+源对~(29)Si的原子检测限达到4×10~(15)cm~(-3). |
metadata_83 | 清华大学电子工程系;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19675 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 姜志雄,查良镇,王佑祥,等. 四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析[J]. 半导体学报,1996,17(6):421. |
APA | 姜志雄,查良镇,王佑祥,陈春华,&陈新.(1996).四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析.半导体学报,17(6),421. |
MLA | 姜志雄,et al."四极SIMS对AlxGa1-xAs中Si的定量分析".半导体学报 17.6(1996):421. |
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