InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器
	张权生; 石志文; 杜云; 颜学进; 赵军
	1996
Source Publication	半导体学报
Volume	17 Issue:11 Pages:813
Abstract	一种电流控制型二端及三端MOW(多量子阱)InGaAsP/InP双区共腔双稳/非线性增益开关激光器业已研制成功,文中报道了部分结果.
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体器件
Funding Organization	国家863计划,国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:306381
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19669
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	张权生,石志文,杜云,等. InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器[J]. 半导体学报,1996,17(11):813.
APA	张权生,石志文,杜云,颜学进,&赵军.(1996).InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器.半导体学报,17(11),813.
MLA	张权生,et al."InGaAsP/InP MQW电流控制型双稳/非线性增益开关激光器".半导体学报 17.11(1996):813.

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