Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
| 由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器 | |
| 康学军; 林世鸣; 高俊华; 高洪海; 王启明; 王红杰; 王立轩; 张春晖 | |
| 1996 | |
| Source Publication | 半导体学报
 |
| Volume | 17Issue:11Pages:873 |
| Abstract | 报道了由选择氧化和选择腐蚀法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射半导体光器,DBR中的AlAs经选择氧化后形成的氧化层作为有源区的横向电流限制层,器件的最低阈值电流为3.8mA,输出功率大于1mW,发散角小于7.8°,高频测量脉冲上升沿达100ps,并制成了2×3列阵器件. |
| metadata_83 | 中科院半导体所 |
| Subject Area | 半导体器件 |
| Funding Organization | 国家自然科学基金 |
| Indexed By | CSCD |
| Language | 中文 |
| CSCD ID | CSCD:306391 |
| Date Available | 2010-11-23 |
| Citation statistics |
Cited Times:8[CSCD]
[CSCD Record]
|
| Document Type | 期刊论文 |
| Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19665 |
| Collection | 中国科学院半导体研究所（2009年前） |
| Recommended Citation GB/T 7714 | 康学军,林世鸣,高俊华,等. 由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器[J]. 半导体学报,1996,17(11):873. |
| APA | 康学军.,林世鸣.,高俊华.,高洪海.,王启明.,...&张春晖.(1996).由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器.半导体学报,17(11),873. |
| MLA | 康学军,et al."由选择腐蚀和选择氧化法相结合研制的GaAs/AlGaAs垂直腔面发射激光器".半导体学报 17.11(1996):873. |
| Files in This Item: | ||||||
| File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
| 5932.pdf（370KB） | 限制开放 | -- | Application Full Text | |||
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment