SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算
奚雪梅; 赵清太; 张兴; 李映雪; 王阳元; 陈新; 王佑祥
1996
Source Publication半导体学报
Volume17Issue:9Pages:698
Abstract在大剂量氧注入硅形成SIMOX(separation by IMplanted OXygen)的物理过程分析基础上,根据单原子衬底注入过程中溅射产额与核阻止本领的本质联系,首次得到O~+对硅表面溅射产额与注入能量的简洁关系式,同时提出埋SiO_2中的氧将主要向上界面扩散,排除了以前的作者在研究SIMOX材料各层厚度时采用拟合参数引起的计算不确定性.在考虑了主要的大剂量注入效应,如体积膨胀、表面溅射、氧在SiO_2内的快速扩散等等,得到氧在硅中的深度分布,经过超高温退火,认为氧硅发生完全的化学分凝,据此设计出快速计算大剂量、高束流氧注入后的最终氧分布的模拟程序POISS(Program of Oxygen Implantaion intion Silicon Substrate),能够较为准确地反映SIMOX材料的特征厚度.本程序已用于该所的SIMOX材料研究制中.
metadata_83北京大学微电子所;中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:321264
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19641
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
奚雪梅,赵清太,张兴,等. 大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算[J]. 半导体学报,1996,17(9):698.
APA 奚雪梅.,赵清太.,张兴.,李映雪.,王阳元.,...&王佑祥.(1996).大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算.半导体学报,17(9),698.
MLA 奚雪梅,et al."大剂量氧注入硅中的再分布理论及其快速计算".半导体学报 17.9(1996):698.
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