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MBE生长面发射激光器的原位厚度监测 | |
周增圻; 潘钟; 林耀望; 吴荣汉; 王圩![]() | |
1996 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 17Issue:8Pages:589 |
Abstract | 在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合. |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 光电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:321273 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19637 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 周增圻,潘钟,林耀望,等. MBE生长面发射激光器的原位厚度监测[J]. 半导体学报,1996,17(8):589. |
APA | 周增圻,潘钟,林耀望,吴荣汉,&王圩.(1996).MBE生长面发射激光器的原位厚度监测.半导体学报,17(8),589. |
MLA | 周增圻,et al."MBE生长面发射激光器的原位厚度监测".半导体学报 17.8(1996):589. |
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