SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
周增圻; 潘钟; 林耀望; 吴荣汉; 王圩
1996
Source Publication半导体学报
Volume17Issue:8Pages:589
Abstract在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:321273
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19637
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
周增圻,潘钟,林耀望,等. MBE生长面发射激光器的原位厚度监测[J]. 半导体学报,1996,17(8):589.
APA 周增圻,潘钟,林耀望,吴荣汉,&王圩.(1996).MBE生长面发射激光器的原位厚度监测.半导体学报,17(8),589.
MLA 周增圻,et al."MBE生长面发射激光器的原位厚度监测".半导体学报 17.8(1996):589.
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