MBE生长面发射激光器的原位厚度监测

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	MBE生长面发射激光器的原位厚度监测
	周增圻; 潘钟; 林耀望; 吴荣汉; 王圩
	1996
Source Publication	半导体学报
Volume	17 Issue:8 Pages:589
Abstract	在MBE生长"DBR型结构性材料"的过程中,由于生长中的多层结构干涉效应,使高温黑体辐射谱呈现振荡现象,利用此现象辅以计算机数据拟合,可以实现MBE生长中层次、组分和厚度的实时监控,对MBE系统生长垂直腔型结构材料的实时质量监控有重要意义.利用红外高温仪对VCSEL器件生长全过程(包括谐振腔)及多种组分DBR的表观衬底热辐射振荡进行监测,采用准黑体模型,结合扫描电镜、光反射谱等结果进行了分析,理论与实验得到了较好的吻合.
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:321273
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19637
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	周增圻,潘钟,林耀望,等. MBE生长面发射激光器的原位厚度监测[J]. 半导体学报,1996,17(8):589.
APA	周增圻,潘钟,林耀望,吴荣汉,&王圩.(1996).MBE生长面发射激光器的原位厚度监测.半导体学报,17(8),589.
MLA	周增圻,et al."MBE生长面发射激光器的原位厚度监测".半导体学报 17.8(1996):589.

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