Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究 | |
郑宝真; 赛纳; 许继宗; 张鹏华; 杨小平; 徐仲英 | |
1996 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
![]() |
Volume | 15Issue:6Pages:407 |
Abstract | 用注入Ga离子GaAs/AlGaAs量子阱在快速热退火中大大加快了异质结界面的互扩散,表现在PL光谱中量子陆峰值能量有30~90meV的兰移.发现兰移大小同注入损伤程度、退火的温度及时间有关. |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:322741 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19633 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 郑宝真,赛纳,许继宗,等. 注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(6):407. |
APA | 郑宝真,赛纳,许继宗,张鹏华,杨小平,&徐仲英.(1996).注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究.红外与毫米波学报,15(6),407. |
MLA | 郑宝真,et al."注入Ga离子的GaAs/AlGaAs量子阱中界面混合的光荧光研究".红外与毫米波学报 15.6(1996):407. |
Files in This Item: | ||||||
File Name/Size | DocType | Version | Access | License | ||
5915.pdf(345KB) | 限制开放 | -- | Application Full Text |
Items in the repository are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.
Edit Comment