GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系
	金世荣; 褚君浩; 汤定元; 罗晋生; 徐仲英; 罗昌平; 袁之良; 许继宗; 郑宝真
	1996
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	15 Issue:4 Pages:291
Abstract	研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。
metadata_83	中科院上海技术物理所;西安交通大学微电子研究室;中科院半导体所
Subject Area	半导体材料
Funding Organization	国家自然科学基金
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:322914
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19629
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	金世荣,褚君浩,汤定元,等. GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(4):291.
APA	金世荣.,褚君浩.,汤定元.,罗晋生.,徐仲英.,...&郑宝真.(1996).GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系.红外与毫米波学报,15(4),291.
MLA	金世荣,et al."GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系".红外与毫米波学报 15.4(1996):291.

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