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GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系 | |
金世荣; 褚君浩; 汤定元; 罗晋生; 徐仲英; 罗昌平; 袁之良; 许继宗; 郑宝真 | |
1996 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
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Volume | 15Issue:4Pages:291 |
Abstract | 研究了具有不同阱宽的GaAs/AlGaAs和InGaAs/AlGaAs窄量子阱结构中激子线宽与温度的关系,发现在低温范围内,声学声子的线性散射系数随着阱宽的减小而增加,对实验结果作了讨论。 |
metadata_83 | 中科院上海技术物理所;西安交通大学微电子研究室;中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体材料 |
Funding Organization | 国家自然科学基金 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:322914 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19629 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 金世荣,褚君浩,汤定元,等. GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(4):291. |
APA | 金世荣.,褚君浩.,汤定元.,罗晋生.,徐仲英.,...&郑宝真.(1996).GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系.红外与毫米波学报,15(4),291. |
MLA | 金世荣,et al."GaAs/AlGaAs和InGaAs/GaAs窄量子阱中激子线宽与温度的关系".红外与毫米波学报 15.4(1996):291. |
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