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磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合 | |
刘剑![]() | |
1996 | |
Source Publication | 红外与毫米波学报
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Volume | 15Issue:2Pages:113 |
Abstract | 报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周 期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的 振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法. |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Funding Organization | 国家攀登计划 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:329663 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19611 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 刘剑,李月霞,郑厚植,等. 磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(2):113. |
APA | 刘剑,李月霞,郑厚植,杨富华,宋爱民,&李承芳.(1996).磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合.红外与毫米波学报,15(2),113. |
MLA | 刘剑,et al."磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合".红外与毫米波学报 15.2(1996):113. |
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