磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合
	刘剑; 李月霞; 郑厚植; 杨富华; 宋爱民; 李承芳
	1996
Source Publication	红外与毫米波学报
Volume	15 Issue:2 Pages:113
Abstract	报道了非对称GaAs/AlAs双势垒结构(DBS)中的Γ-X-Γ磁隧穿振荡现象,用磁场倒数周期求得AlAs层中X谷和GaAs层中Γ谷之间的能带不连续值与通常公认值符合很好.良好的振荡特性可作为定量研究Γ-X耦合强度的灵敏的实验办法.
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Funding Organization	国家攀登计划
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:329663
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19611
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	刘剑,李月霞,郑厚植,等. 磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(2):113.
APA	刘剑,李月霞,郑厚植,杨富华,宋爱民,&李承芳.(1996).磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合.红外与毫米波学报,15(2),113.
MLA	刘剑,et al."磁隧穿振荡研究GaAs/AlAs双势垒结构中的Г-X电子态混合".红外与毫米波学报 15.2(1996):113.

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