SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器
刘颖; 杜国同; 姜秀英; 刘素平; 张晓波; 赵永生; 高鼎三; 林世呜; 高洪海; 高俊华; 王洪杰; 康学军
1996
Source Publication红外与毫米波学报
Volume15Issue:3Pages:218
Abstract报道了一种新型的具有InGaAs量子阱结构有源区的垂直腔面发射激光器.采用钨丝作为掩膜,通过两次垂直交叉H~+质子轰击工艺制备器件,初步实现了室温脉冲工作,最低阈值电流达20mA,激射波长为915nm,器件的串联电阻最低达120Ω.
metadata_83吉林大学电子工程系;中科院半导体所
Subject Area半导体器件
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:329684
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19609
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
刘颖,杜国同,姜秀英,等. InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器[J]. 红外与毫米波学报,1996,15(3):218.
APA 刘颖.,杜国同.,姜秀英.,刘素平.,张晓波.,...&康学军.(1996).InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器.红外与毫米波学报,15(3),218.
MLA 刘颖,et al."InGaAs量子阱垂直腔面发射激光器".红外与毫米波学报 15.3(1996):218.
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