SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
增益波导垂直腔面发射激光器中的模式分析及实验研究
潘钟; 吴荣汉; 高洪海; 王启明
1996
Source Publication光子学报
Volume25Issue:3Pages:202
Abstract研究了增益波导垂直腔面发射激光器的横向及纵向模式特性.采用二维延伸抛物型复折射率波导结构从理论上分析了增益波导垂直腔面发射激光器中模式的横向电场分布、模 式间隔、模式增益对远场分布图和光束发射角、耦合效率竺.实验中在阈值电流之上既观测到稳定的基模工作,也观测到高阶非简并模工作等不同的光谱结构及远场分布,理论和 实验基本吻合.
metadata_83中科院半导体所
Subject Area光电子学
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:333740
Date Available2010-11-23
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Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19595
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
潘钟,吴荣汉,高洪海,等. 增益波导垂直腔面发射激光器中的模式分析及实验研究[J]. 光子学报,1996,25(3):202.
APA 潘钟,吴荣汉,高洪海,&王启明.(1996).增益波导垂直腔面发射激光器中的模式分析及实验研究.光子学报,25(3),202.
MLA 潘钟,et al."增益波导垂直腔面发射激光器中的模式分析及实验研究".光子学报 25.3(1996):202.
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