GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能
	夏永伟; 滕学公; 李国花; 樊志军; 王守武
	1996
Source Publication	半导体学报
Volume	17 Issue:2 Pages:131
Abstract	报告用PnpN型GaAs/AlGaAs结构的光电双稳器件形成的光子平行存贮器单元器件和4×4阵列器件的特性。单元器件的最小维持功耗小于30μW。使器件从“关闭”态翻转到“导通”态所需的光触发功率小于80μW。单元面积160×160μm、间距40μm的存贮器4×4原理性阵列已经研制成功,这是0.85μm波长范围的光子平行存贮器的首次报道。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:334527
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19587
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	夏永伟,滕学公,李国花,等. GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能[J]. 半导体学报,1996,17(2):131.
APA	夏永伟,滕学公,李国花,樊志军,&王守武.(1996).GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能.半导体学报,17(2),131.
MLA	夏永伟,et al."GaAs/AIGaAs光子平行存贮器的性能".半导体学报 17.2(1996):131.

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