半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应
	陈昌华; 陈良惠; 王启明
	1996
Source Publication	半导体学报
Volume	17 Issue:3 Pages:196
Abstract	考虑了ASE效应和端面反射率的影响,建立了锥形激光功率放大器的Rigrod模型并引进了新的迭代方法,讨论了ASE效应和端面反射率对放大器增益G及信噪比S/N的影响。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	光电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:335022
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19575
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	陈昌华,陈良惠,王启明. 半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应[J]. 半导体学报,1996,17(3):196.
APA	陈昌华,陈良惠,&王启明.(1996).半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应.半导体学报,17(3),196.
MLA	陈昌华,et al."半导体锥形激光功率放大器放大的自发发射效应".半导体学报 17.3(1996):196.

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