异质结电荷注入晶体管

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	异质结电荷注入晶体管
	李桂荣; 郑厚植; 李月霞; 郭纯英; 李承芳; 张鹏华; 杨小平
	1996
Source Publication	半导体学报
Volume	17 Issue:3 Pages:203
Abstract	通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	半导体物理
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:335023
Date Available	2010-11-23
Citation statistics
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19573
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	李桂荣,郑厚植,李月霞,等. 异质结电荷注入晶体管[J]. 半导体学报,1996,17(3):203.
APA	李桂荣.,郑厚植.,李月霞.,郭纯英.,李承芳.,...&杨小平.(1996).异质结电荷注入晶体管.半导体学报,17(3),203.
MLA	李桂荣,et al."异质结电荷注入晶体管".半导体学报 17.3(1996):203.

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