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异质结电荷注入晶体管 | |
李桂荣; 郑厚植; 李月霞; 郭纯英; 李承芳; 张鹏华; 杨小平 | |
1996 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 17Issue:3Pages:203 |
Abstract | 通过对GaAs/AlGaAs异质结电荷注入晶体管结构和工艺的探索研究,以及对器件工作特性的测量分析,在理论上给出了器件过程的物理机制,并对器件结果提出了进一步的改进措施。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 半导体物理 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:335023 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19573 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 李桂荣,郑厚植,李月霞,等. 异质结电荷注入晶体管[J]. 半导体学报,1996,17(3):203. |
APA | 李桂荣.,郑厚植.,李月霞.,郭纯英.,李承芳.,...&杨小平.(1996).异质结电荷注入晶体管.半导体学报,17(3),203. |
MLA | 李桂荣,et al."异质结电荷注入晶体管".半导体学报 17.3(1996):203. |
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