SEMI OpenIR  > 中国科学院半导体研究所(2009年前)
GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究
牛智川; 周增圻; 林耀望; 周帆; 潘昆; 张子莹; 祝亚芹; 王守武
1996
Source Publication半导体学报
Volume17Issue:3Pages:227
Abstract报道了非平面衬底上分子束外延生长GaAs脊形量子线结构的实验研究。已成功地在GaAs(001)刻蚀条形衬底上生长出了由(111)面和(113)面构成的两种脊形量子线结构。讨论了非平面衬底上MBE生长脊形结构的形成机制,认为在一定的生长条件下,脊形结构的表面取向是由两个原始交界面上生长速率的相对差异决定的;而生长速率的差异是由表面再构的不同决定的。
metadata_83中科院半导体所
Subject Area半导体材料
Indexed ByCSCD
Language中文
CSCD IDCSCD:335028
Date Available2010-11-23
Citation statistics
Cited Times:8[CSCD]   [CSCD Record]
Document Type期刊论文
Identifierhttp://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19571
Collection中国科学院半导体研究所(2009年前)
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GB/T 7714
牛智川,周增圻,林耀望,等. GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究[J]. 半导体学报,1996,17(3):227.
APA 牛智川.,周增圻.,林耀望.,周帆.,潘昆.,...&王守武.(1996).GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究.半导体学报,17(3),227.
MLA 牛智川,et al."GaAs脊形量子线结构的MBE生长机理研究".半导体学报 17.3(1996):227.
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