多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰

SEMI OpenIR > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰
	夏永伟; 滕学公
	1996
Source Publication	半导体学报
Volume	17 Issue:4 Pages:318
Abstract	通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化。第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度约小于10nm。讨论了形成针形峰的可能机理。
metadata_83	中科院半导体所
Subject Area	微电子学
Indexed By	CSCD
Language	中文
CSCD ID	CSCD:335045
Date Available	2010-11-23
Citation statistics	Cited Times:2[CSCD] [CSCD Record]
Document Type	期刊论文
Identifier	http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19559
Collection	中国科学院半导体研究所（2009年前）
Recommended Citation GB/T 7714	夏永伟,滕学公. 多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰[J]. 半导体学报,1996,17(4):318.
APA	夏永伟,&滕学公.(1996).多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰.半导体学报,17(4),318.
MLA	夏永伟,et al."多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰".半导体学报 17.4(1996):318.

Related Services

Bookmark

Google Scholar

Similar articles in Bing Scholar

Terms of Use

No data!

Social Bookmark/Share

All comments (0)

No comment.

The comment function is only available to registered usersLog In

If you have any objections to this item, please fill out the form below and the administrator will contact you as soon as possible.
Content:
Email：	*
Institution:
Verification Code:	Refresh

Any comments and suggestions are welcomed.
Title:	*
Content:
Email：	*
Verification Code:	Refresh

中国科学院半导体研究所机构知识库