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多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰 | |
夏永伟; 滕学公 | |
1996 | |
Source Publication | 半导体学报
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Volume | 17Issue:4Pages:318 |
Abstract | 通过改变电化学腐蚀生成多孔硅膜的工艺条件,研究了它的发光峰形状的变化。第一次从实验上观测到多孔硅膜的针形发光激发谱和发射光谱,其半峰值宽度约小于10nm。讨论了形成针形峰的可能机理。 |
metadata_83 | 中科院半导体所 |
Subject Area | 微电子学 |
Indexed By | CSCD |
Language | 中文 |
CSCD ID | CSCD:335045 |
Date Available | 2010-11-23 |
Citation statistics | |
Document Type | 期刊论文 |
Identifier | http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/19559 |
Collection | 中国科学院半导体研究所(2009年前) |
Recommended Citation GB/T 7714 | 夏永伟,滕学公. 多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰[J]. 半导体学报,1996,17(4):318. |
APA | 夏永伟,&滕学公.(1996).多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰.半导体学报,17(4),318. |
MLA | 夏永伟,et al."多孔硅膜的半峰值宽度小于10nm的针形发光峰".半导体学报 17.4(1996):318. |
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